SAMSUNG သည် 2027 တွင် ၎င်း၏ ချစ်ပ်စက်စွမ်းရည်ကို သုံးဆတိုးရန် စီစဉ်နေသည်။

Samsung Electronics သည် ဆိုးလ်မြို့၊ Gangnam-gu တွင် အောက်တိုဘာ ၂၀ ရက်က Samsung Foundry Forum 2022 ကို ကျင်းပခဲ့ကြောင်း BusinessKorea က ဖော်ပြခဲ့သည်။

SAMSUNG သည် 2027 တွင် ၎င်း၏ ချစ်ပ်စက်စွမ်းရည်ကို သုံးဆတိုးရန် စီစဉ်နေသည်။

Samsung Electronics မှ GAA နည်းပညာကို အခြေခံထားသည့် 3-nanometer ချစ်ပ်ပြားကို ယခုနှစ်အတွင်း ကမ္ဘာ့ပထမဆုံးအကြိမ်အဖြစ် အောင်မြင်စွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့ပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှု 45 ရာခိုင်နှုန်းအထိ လျှော့ချနိုင်ခဲ့ကြောင်း ကုမ္ပဏီ၏ စက်ရုံလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဌာန၏ ဒုတိယဥက္ကဋ္ဌ Jeong Ki-tae က ပြောကြားခဲ့သည်။ စွမ်းဆောင်ရည် 23 ရာခိုင်နှုန်း မြင့်မားပြီး 5-nanometer ချစ်ပ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဧရိယာ 16 ရာခိုင်နှုန်း လျော့နည်းသည်။

Samsung Electronics သည် 2027 ခုနှစ်တွင် ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို သုံးဆကျော်ရရှိရန် ရည်ရွယ်ထားသည့် ၎င်း၏ chip foundry ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို ချဲ့ထွင်ရန် အားမလျှော့ဘဲ ကြိုးပမ်းနေပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ Chipmaker သည် တည်ဆောက်ခြင်းပါ၀င်သည့် "shell-first" ဗျူဟာကို လိုက်လုပ်နေပါသည်။ စျေးကွက်ဝယ်လိုအား ပေါ်ပေါက်လာသည်နှင့်အမျှ အခန်းသန့်ရှင်းရေးကို ဦးစွာ သန့်စင်ပြီးမှ စက်ရုံကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပါ။

Samsung Electronics ၏ Foundry Business Unit ၏ ဥက္ကဌ Choi Si-young က "ကျွန်ုပ်တို့သည် ကိုရီးယားနှင့် အမေရိကန်တွင် စက်ရုံ ၅ ရုံ လည်ပတ်နေပြီး စက်ရုံ ၁၀ ရုံကျော် တည်ဆောက်ရန် လုံခြုံစိတ်ချရသော နေရာများ ရှိသည်။"

Samsung Electronics သည် ၎င်း၏ ဒုတိယမျိုးဆက် 3-nanometer လုပ်ငန်းစဉ်ကို 2023 ခုနှစ်တွင် စတင်ရန် စီစဉ်နေကြောင်း၊ 2025 ခုနှစ်တွင် 2-nanometer အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်ကာ 1.4-nanometer လုပ်ငန်းစဉ်ကို 2027 ခုနှစ်တွင် စတင်ရန် စီစဉ်နေကြောင်း သိရှိရပါသည်။ ဖရန်စစ္စကို အောက်တိုဘာ ၃ ရက် (ဒေသစံတော်ချိန်)။


တင်ချိန်- နိုဝင်ဘာ ၁၄-၂၀၂၂