SAMSUNG သည် 2027 တွင် ၎င်း၏ ချစ်ပ်စက်စွမ်းရည်ကို သုံးဆတိုးရန် စီစဉ်နေသည်။

Samsung Electronics သည် GAA နည်းပညာကိုအခြေခံထားသည့် 3-nanometer ချစ်ပ်ပြားကို ယခုနှစ်အတွင်း ကမ္ဘာ့ပထမဆုံးအကြိမ်အဖြစ် အောင်မြင်စွာထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့ပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှု 45 ရာခိုင်နှုန်း၊ စွမ်းဆောင်ရည် 23 ရာခိုင်နှုန်းနှင့် 5-nanometer ချစ်ပ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဧရိယာ 16 ရာခိုင်နှုန်း လျော့နည်းကြောင်း ကုမ္ပဏီ၏နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဆိုင်ရာ ဒုတိယဥက္ကဋ္ဌ Jeong Ki-tae က ပြောကြားခဲ့သည်။

Samsung Electronics သည် 2027 ခုနှစ်တွင် ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို သုံးဆကျော်ရရှိရန် ရည်မှန်းထားသည့် ၎င်း၏ Chip Foundry ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို ချဲ့ထွင်ရန် ကြိုးပမ်းနေခြင်းမရှိပေ။ ထို့ကြောင့်၊ Chipmaker သည် စျေးကွက်လိုအပ်ချက်အရ စျေးကွက်တောင်းဆိုမှုပေါ်ပေါက်လာသည်နှင့်အမျှ “shell-first” ဗျူဟာကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နေပါသည်။

Samsung Electronics ၏ Foundry Business Unit ၏ ဥက္ကဌ Choi Si-young က "ကျွန်ုပ်တို့သည် ကိုရီးယားနှင့် အမေရိကန်တွင် စက်ရုံ ၅ ရုံ လည်ပတ်နေပြီး စက်ရုံ ၁၀ ရုံကျော် တည်ဆောက်ရန် လုံခြုံစိတ်ချရသော နေရာများ ရှိသည်။"

Samsung Electronics သည် ၎င်း၏ ဒုတိယမျိုးဆက် 3-nanometer လုပ်ငန်းစဉ်ကို 2023 ခုနှစ်တွင် စတင်မည်ဖြစ်ပြီး 2025 ခုနှစ်တွင် 2-nanometer အမြောက်အမြား စတင်ထုတ်လုပ်ကာ 1.4-nanometer လုပ်ငန်းစဉ်ကို 2027 ခုနှစ်တွင် စတင်ရန် စီစဉ်နေကြောင်း IT House မှ လေ့လာသိရှိရသည်မှာ Samsung သည် ဆန်ဖရန်စစ္စကိုတွင် ပထမဆုံးထုတ်ဖော်ခဲ့သည့် နည်းပညာလမ်းပြမြေပုံကို အောက်တိုဘာ 3 ရက် (ဒေသစံတော်ချိန်) တွင် ဖော်ပြထားသည်။