DG419DY-T1-E3 Analog Switch IC တစ်ခုတည်း SPDT 22/25V
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | Vishay |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | Analog Switch IC များ |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | SOIC-8 |
| ချန်နယ်အရေအတွက်- | 1 Channel |
| ဖွဲ့စည်းမှု- | 1 x SPDT |
| ခုခံမှုအပေါ် - Max- | 35 Ohms |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - အနည်းဆုံး | 13 V |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - Max- | 44 V |
| အနိမ့်ဆုံး Dual Supply Voltage- | +/- 15 V |
| အမြင့်ဆုံး Dual Supply Voltage: | +/- 15 V |
| အချိန်မှန် - အများဆုံး- | 175 ns |
| အလုပ်ချိန် - အများဆုံး- | 145 ns |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 40 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 85 C |
| စီးရီး: | DG |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | Vishay / Siliconix |
| အမြင့်- | 1.55 မီလီမီတာ |
| အရှည်- | 5 မီလီမီတာ |
| Pd - Power Dissipation- | 400 mW |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | Analog Switch IC များ |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၂၅၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | IC ကိုပြောင်းပါ။ |
| ထောက်ပံ့ရေးလက်ရှိ - အများဆုံး- | 1 uA |
| ထောက်ပံ့မှုအမျိုးအစား- | Single Supply၊ Dual Supply |
| အဆက်မပြတ် လက်ရှိကို ပြောင်းပါ- | 30 mA |
| အကျယ်- | 4 မီလီမီတာ |
| အပိုင်း # နာမည်များ- | DG419DY-E3 |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.019048 အောင်စ |
♠ တိကျသော CMOS အင်နာလော့ခလုတ်များ
DG417၊ DG418၊ DG419 monolithic CMOS analog switches များသည် analog signals များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစွာပြောင်းခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ပါဝါနည်းပါးခြင်း၊ ယိုစိမ့်မှုနည်းပါးခြင်း၊ မြန်နှုန်းမြင့်၊ ခုခံနိုင်မှုနည်းသော သေးငယ်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအရွယ်အစားတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသည့် DG417 စီးရီးသည် သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူပြီး ဘက်ထရီပါဝါသုံး စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး ဘုတ်နေရာကို ထိရောက်စွာအသုံးပြုမှုလိုအပ်သည်။
မြင့်မားသောဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော switching စွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိရန်၊ DG417 စီးရီးကို Vishay Siliconix ၏ high voltage silicon gate (HVSG) လုပ်ငန်းစဉ်ပေါ်တွင် တည်ဆောက်ထားသည်။Break-beforemake သည် SPDT configuration တစ်ခုဖြစ်သည့် DG419 အတွက် အာမခံပါသည်။epitaxial အလွှာသည် latchup ကိုတားဆီးသည်။
ခလုတ်တစ်ခုစီသည် ဖွင့်သည့်အခါ လမ်းကြောင်းနှစ်ခုစလုံးတွင် အညီအမျှ ကောင်းစွာလုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ပိတ်သည့်အခါ ပါဝါထောက်ပံ့မှုအဆင့်အထိ ပိတ်ဆို့သည်။
DG417 နှင့် DG418 သည် Truth Table တွင်ပြသထားသည့်အတိုင်း ဆန့်ကျင်ဘက်ထိန်းချုပ်မှုယုတ္တိအဆင့်များကို တုံ့ပြန်သည်။
• ± 15 V analog signal အကွာအဝေး
• On-resistance – RDS(on): 20
• အမြန်ပြောင်းခြင်းလုပ်ဆောင်ချက် – tON: 100 ns
• အလွန်နည်းသော ပါဝါလိုအပ်ချက်များ – PD: 35 nW
• TTL နှင့် CMOS တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။
• MiniDIP နှင့် SOIC ထုပ်ပိုးမှု
• 44 V ထောက်ပံ့မှု အမြင့်ဆုံး။အဆင့်သတ်မှတ်ချက်
• 44 V ထောက်ပံ့မှု အမြင့်ဆုံး။အဆင့်သတ်မှတ်ချက်
• RoHS ညွှန်ကြားချက် 2002/95/EC နှင့် ကိုက်ညီသည်။
• ကျယ်ပြန့်သော ဒိုင်းနမစ်အကွာအဝေး
• အနိမ့်အချက်ပြအမှားများနှင့် ပုံပျက်ခြင်း။
• ကူးပြောင်းခြင်းလုပ်ဆောင်ချက်ကို ချိုးဖျက်ခြင်းမပြုမီ
• ရိုးရှင်းသော ချိတ်ဆက်မှု
• ဘုတ်နေရာလွတ်
• ပိုမိုကောင်းမွန်သော ယုံကြည်စိတ်ချရမှု
• တိကျမှုစမ်းသပ်ကိရိယာ
• တိကျသောကိရိယာတန်ဆာပလာ
• ဘက်ထရီပါဝါစနစ်များ
• နမူနာ-ကိုင်ထားသော ဆားကစ်များ
• တပ်မတော်ရေဒီယိုများ
• လမ်းညွှန်မှုနှင့် ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ
• ဟာ့ဒ်ဒစ်ဒရိုက်များ
