AUIRFN8459TR MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ထုတ်လုပ်သူ- Infineon Technologies

ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- ထရန်စစ္စတာများ – FETs၊ MOSFETs – Arrays

အချက်အလက်စာရွက်:AUIRFN8459TR

ဖော်ပြချက်- MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

RoHS အခြေအနေ- RoHS လိုက်နာမှု

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

အင်္ဂါရပ်များ

လျှောက်လွှာများ

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်

ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည်	ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး
ထုတ်လုပ်သူ-	အင်ဖီယွန်
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား:	MOSFET
RoHS-	အသေးစိတ်
နည်းပညာ-	Si
တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ-	SMD/SMT
အထုပ်/အစွပ်	PQFN-8
Transistor Polarity-	N-Channel
ချန်နယ်အရေအတွက်-	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-	40 V
ID - Continuous Drain Current-	70 A
Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance-	5.9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage-	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-	3 V
Qg - ဂိတ်ကြေး-	40 nC
အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန်	- 55 C
အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန်	+ 175 C
Pd - Power Dissipation-	50 W
ချန်နယ်မုဒ်-	မြှင့်တင်ပေးခြင်း
အရည်အချင်း-	AEC-Q101
ထုပ်ပိုးမှု-	ရစ်လုံး
ထုပ်ပိုးမှု-	တိပ်ညှပ်
ထုပ်ပိုးမှု-	MouseReel
အမှတ်တံဆိပ်-	Infineon နည်းပညာများ
ဖွဲ့စည်းမှု-	နှစ်ထပ်
ဆောင်းရာသီ	42 ns
ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း - အနည်းဆုံး-	66 S
အမြင့်-	1.2 မီလီမီတာ
အရှည်-	6 မီလီမီတာ
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား:	MOSFET
တက်ချိန်-	55 ns
စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်-	၄၀၀၀
အမျိုးအစားခွဲ-	MOSFETs
Transistor အမျိုးအစား-	2 N-Channel
ပုံမှန်အပိတ်နှောင့်နှေးချိန်-	25 ns
ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန်-	10 ns
အကျယ်-	5 မီလီမီတာ
အပိုင်း # နာမည်များ-	AUIRFN8459TR SP001517406
ယူနစ်အလေးချိန်-	0.004308 အောင်စ

♠ MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET

Automotive applications များအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး၊ ဤ HEXFET® Power MOSFET သည် ဆီလီကွန်ဧရိယာတစ်ခုလျှင် ခံနိုင်ရည်အလွန်နည်းသော နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာများကို အသုံးပြုထားသည်။ဤဒီဇိုင်း၏ နောက်ဆက်တွဲအင်္ဂါရပ်များမှာ 175°C လမ်းဆုံလည်ပတ်မှုအပူချိန်၊ လျင်မြန်စွာ ကူးပြောင်းသည့်အမြန်နှုန်းနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲနှင်းပြိုကျမှုအဆင့်ကို မြှင့်တင်ထားသည်။ဤအင်္ဂါရပ်များသည် ဤထုတ်ကုန်ကို မော်တော်ကားနှင့် အခြားအပလီကေးရှင်းများစွာတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အလွန်ထိရောက်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စက်ဖြစ်လာစေရန် ပေါင်းစပ်ထားသည်။

ယခင်- AD5293BRUZ-20 ဒစ်ဂျစ်တယ် Potentiometer ICs 1024 ကိုနှိပ်ပါ၊ SPI မျက်နှာပြင်ပါရှိသော 1% digiPOT

နောက်တစ်ခု: LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – Field Programmable Gate Array 2112 LUTs 207 IO 3.3V 4 Spd

 အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာ

 Dual N-Channel MOSFET

 အလွန်နိမ့်သော On-Resistance

 175°C လည်ပတ်အပူချိန်

 အမြန်ပြောင်းခြင်း။

 ထပ်တလဲလဲ Avalanche ကို Tjmax အထိ ခွင့်ပြုထားသည်။

 ခဲ-အခမဲ့၊ RoHS လိုက်နာမှု

 မော်တော်ကား အရည်အချင်းပြည့်မီသော *

 12V မော်တော်ကားစနစ်များ

 Brushed DC Motor