TPS53659RSBR ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု အထူးပြု 4+1/3+2 Dual-Channel VR13 D-CAP+ နှင့် NVM နှင့် PMBus 40-WQFN ဖြင့် အဆင့်-ဆင်း Multiphase Controller ကို ကုန်သွယ်မှုပြုပါ။
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | တက္ကတူရိယာ |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | Power Management အထူးပြု - PMIC |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| စီးရီး: | TPS53659 |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | WQFN-40 |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 40 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 125 C |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| အမှတ်တံဆိပ်- | တက္ကတူရိယာ |
| Moisture Sensitive- | ဟုတ်ကဲ့ |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | Power Management အထူးပြု - PMIC |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၃၀၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | PMIC - ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု IC များ |
| ကုန်အမှတ်တံဆိပ်- | D-CAP+ |
♠ TPS53659 Dual-Channel (4-Phase + 1-Phase) သို့မဟုတ် (3-Phase + 2-Phase) D-CAP+™ Step-Down Multiphase Controller with NVM နှင့် PMBus™ VR13 ဆာဗာမှတ်ဉာဏ်အတွက်
TPS53659 သည် အပြည့်အဝ VR13 SVID လိုက်လျောညီထွေဖြစ်သော လမ်းကြောင်းနှစ်ခု၊ built-in nonvolatile memory (NVM) နှင့် PMBus™ အင်တာဖေ့စ်ပါရှိကာ TI NexFET™ ပါဝါအဆင့်နှင့် အပြည့်အဝ တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။D-CAP+™ Architecture ကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်ထိန်းချုပ်မှုအင်္ဂါရပ်များသည် လျှို့ဝှက်ချက်လျှော့ချခြင်း (USR) ဖြင့် လျင်မြန်သော ယာယီတုံ့ပြန်မှု၊ အထွက်နှုန်းနည်းခြင်းနှင့် ကောင်းမွန်သော လက်ရှိမျှဝေမှုကို ပေးစွမ်းသည်။စက်ပစ္စည်းသည် မတူညီသောဝန်များတွင် ထိရောက်မှုတိုးတက်စေရန်အတွက် ဆန်းသစ်သောအဆင့်ကြားဖြတ်နည်းဗျူဟာနှင့် ဒိုင်းနမစ်အဆင့်ကို လျှော့ချပေးပါသည်။Intel® အင်္ဂါရပ်များကို ဝိုင်းရံထားသော VCORE ခုန်နှုန်းနှင့် ဗို့အားတည်နေရာကို ချိန်ညှိနိုင်သော ထိန်းချုပ်မှု။ထို့အပြင်၊ စက်သည် စနစ်များသို့ ဗို့အား၊ လက်ရှိ၊ ပါဝါ၊ အပူချိန်နှင့် ချို့ယွင်းမှုအခြေအနေများကို သတင်းပို့ရန်အတွက် PMBus ဆက်သွယ်ရေးမျက်နှာပြင်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ပရိုဂရမ်မီနိုင်သော ကန့်သတ်ဘောင်များအားလုံးကို PMBus အင်တာဖေ့စ်ဖြင့် ပြင်ဆင်သတ်မှတ်နိုင်ပြီး ပြင်ပအစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို လျှော့ချရန်အတွက် မူရင်းတန်ဖိုးအသစ်များအဖြစ် NVM တွင် သိမ်းဆည်းထားနိုင်သည်။
အကယ်၍ TPS53659 စက်ပစ္စည်းအား အပူပိုင်းမြှင့်တင်ထားသော 40-pin WQFN ထုပ်ပိုးထားသည့်အတွက် ကမ်းလှမ်းထားပြီး -40°C မှ 125°C အထိ လုပ်ဆောင်ရန် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသည်။
• ဒစ်ဂျစ်တယ်ထည့်သွင်းမှုပါဝါမော်နီတာအပါအဝင် VR13 ဆာဗာအင်္ဂါရပ်အစုံအလင်
• Programmable Loop Compensations
• Non-Volatile Memory (NVM) ဖြင့် Configurable forပြင်ပအစိတ်အပိုင်းအရေအတွက် နည်းပါးသည်။
• တစ်ဦးချင်းအဆင့် လက်ရှိ ချိန်ညှိမှုများနှင့် အစီရင်ခံစာများ
• Programmable ဖြင့် Dynamic Phase Sheddingအလင်းတွင် စွမ်းဆောင်ရည် ပိုကောင်းစေရန်အတွက် လက်ရှိ အဆင့်နှင့် Heavy Loads များ
• Undershoot လျှော့ချမှုအတွက် အမြန်အဆင့်-ပေါင်းထည့်ခြင်း။(USR)
• နောက်ပြန် VR12.0 နှင့် VR12.5 တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။
• ရွေးချယ်နိုင်သော 5 mV သို့မဟုတ် 10 mV ဖြင့် 8-Bit DACResolution နှင့် Output Range သည် 0.25 V မှ ဖြစ်သည်။Dual Channels အတွက် 1.52 V သို့မဟုတ် 0.5 V မှ 2.8125 V
• ထိရောက်သော ကြိမ်နှုန်းမြင့်ပြောင်းခြင်းအတွက် Driverless Configuration
• TI NextFET™ Power Stage နှင့် အပြည့်အဝလိုက်ဖက်သည်။High-Density ဖြေရှင်းချက်များအတွက်
• တိကျသော၊ ချိန်ညှိနိုင်သော ဗို့အားနေရာချထားခြင်း။
• Closed-loop Frequency ဖြင့် ကြိမ်နှုန်းရွေးချယ်မှုများထိန်းချုပ်မှု- 300 kHz မှ 1 MHz
• မူပိုင်ခွင့် AutoBalance™ Phase Balancing
• ရွေးချယ်နိုင်သော၊ 16 အဆင့် Per-Phase လက်ရှိကန့်သတ်ချက်
• Telemetry အတွက် PMBus™ System Interfaceဗို့အား၊ လျှပ်စီးကြောင်း၊ ပါဝါ၊ အပူချိန်၊ နှင့် ပြတ်ရွေ့အခြေအနေများ
• Dynamic Output Voltage Transitions နှင့်အတူSVID သို့မဟုတ် PMBus မှတစ်ဆင့် ပရိုဂရမ်မာနိုင်သော Slew နှုန်းများအင်တာဖေ့စ်
• Conversion Voltage Range: 4.5 V မှ 17 V
• Low Quiescent Current
• 5 mm × 5 mm၊ 40-Pin၊ WQFN PowerPad™အထုပ်
• VR13 Memory Power သည် Server နှင့် Telecom Applications များ
• ASIC သည် Dual Power Rails လိုအပ်သည်။
• စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပရိုဆက်ဆာပါဝါ
