SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ထုတ်လုပ်သူ- Vishay / Siliconix

ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- ထရန်စစ္စတာများ – FETs ၊ MOSFET – Single

အချက်အလက်စာရွက်:SUD50P10-43L-E3

ဖော်ပြချက်- MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

RoHS အခြေအနေ- RoHS လိုက်နာမှု


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

အင်္ဂါရပ်များ

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်

ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး
ထုတ်လုပ်သူ- Vishay
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: MOSFET
RoHS- အသေးစိတ်
နည်းပညာ- Si
တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- SMD/SMT
အထုပ်/အစွပ် TO-252-3
Transistor Polarity- P-Channel
ချန်နယ်အရေအတွက်- 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 100 V
ID - Continuous Drain Current- 37.1 A
Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance- 43 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage- - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage- 1 V
Qg - ဂိတ်ကြေး- 106 nC
အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် - 55 C
အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် + 175 C
Pd - Power Dissipation- 136 W
ချန်နယ်မုဒ်- မြှင့်တင်ပေးခြင်း
ကုန်အမှတ်တံဆိပ်- TrenchFET
ထုပ်ပိုးမှု- ရစ်လုံး
ထုပ်ပိုးမှု- တိပ်ညှပ်
ထုပ်ပိုးမှု- MouseReel
အမှတ်တံဆိပ်- Vishay Semiconductors
ဖွဲ့စည်းမှု- လူပျို
ဆောင်းရာသီ 100 ns
ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း - အနည်းဆုံး- 38 S
အမြင့်- 2.38 မီလီမီတာ
အရှည်- 6.73 မီလီမီတာ
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: MOSFET
တက်ချိန်- 20 ns၊ 160 ns
စီးရီး: SUD
စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- ၂၀၀၀
အမျိုးအစားခွဲ- MOSFETs
Transistor အမျိုးအစား- 1 P-ချန်နယ်
ပုံမှန်အပိတ်နှောင့်နှေးချိန်- 100 ns၊ 110 ns
ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန်- 15 ns၊ 42 ns
အကျယ်- 6.22 မီလီမီတာ
အပိုင်း # နာမည်များ- SUD50P10-43L-BE3
ယူနစ်အလေးချိန်- 0.011640 အောင်စ

 


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • • TrenchFET® ပါဝါ MOSFET

    • RoHS ညွှန်ကြားချက် 2002/95/EC နှင့် ကိုက်ညီသည်။

    ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ