SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
ထုတ်လုပ်သူ- | Vishay |
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | MOSFET |
RoHS- | အသေးစိတ် |
နည်းပညာ- | Si |
တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
Package/Case- | TO-252-3 |
Transistor Polarity- | P-Channel |
ချန်နယ်အရေအတွက်- | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- | 60 V |
ID - Continuous Drain Current- | 50 A |
Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance- | 15 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage- | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage- | 3 V |
Qg - ဂိတ်ကြေး- | 40 nC |
အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 55 C |
အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 150 C |
Pd - Power Dissipation- | 113 W |
ချန်နယ်မုဒ်- | မြှင့်တင်ပေးခြင်း |
ကုန်အမှတ်တံဆိပ်- | TrenchFET |
ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
အမှတ်တံဆိပ်- | Vishay Semiconductors |
ဖွဲ့စည်းမှု- | လူပျို |
ဆောင်းရာသီ | 30 ns |
ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း - အနည်းဆုံး- | 61 S |
အမြင့်- | 2.38 မီလီမီတာ |
အရှည်- | 6.73 မီလီမီတာ |
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | MOSFET |
တက်ချိန်- | 9 ns |
စီးရီး: | SUD |
စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၂၀၀၀ |
အမျိုးအစားခွဲ- | MOSFETs |
Transistor အမျိုးအစား- | 1 P-ချန်နယ် |
ပုံမှန်အပိတ်နှောင့်နှေးချိန်- | 65 ns |
ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန်- | 8 ns |
အကျယ်- | 6.22 မီလီမီတာ |
အပိုင်း # နာမည်များ- | SUD50P06-15-BE3 |
ယူနစ်အလေးချိန်- | 330 မီလီဂရမ် |
• TrenchFET® ပါဝါ MOSFET
• Load ခလုတ်