MMBT3904TT1G Bipolar ထရန်စစ္စတာ – BJT 200mA 40V NPN
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | onsemi |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | SC-75-3 |
| Transistor Polarity- | NPN |
| ဖွဲ့စည်းမှု- | လူပျို |
| စုဆောင်းသူ- Emitter Voltage VCEO Max- | 40 V |
| စုဆောင်းသူ- အခြေခံဗို့အား VCBO- | 60 V |
| Emitter- အခြေခံဗို့အား VEBO- | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage- | 300 mV |
| အများဆုံး DC စုဆောင်းသူ လက်ရှိ- | 200 mA |
| Pd - Power Dissipation- | 225 mW |
| Bandwidth ထုတ်ကုန် fT ရရှိရန်- | 300 MHz |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 55 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 150 C |
| စီးရီး: | MMBT3904T |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | onsemi |
| စဉ်ဆက်မပြတ် စုဆောင်းသူ လက်ရှိ- | 0.2 A |
| DC စုဆောင်းသူ/အခြေခံ အမြတ် hfe Min- | 40 |
| အမြင့်- | 0.75 မီလီမီတာ |
| အရှည်- | 1.6 မီလီမီတာ |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | BJTs - Bipolar ထရန်စစ္စတာများ |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၃၀၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | စစ္စတာများ |
| နည်းပညာ- | Si |
| အကျယ်- | 0.8 မီလီမီတာ |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.000089 အောင်စ |
• S Prefix for Automotive နှင့် အခြားသော Applications များအတွက် သီးသန့် Site and Control Change Requirements လိုအပ်သော၊AEC-Q101 အရည်အချင်းပြည့်မီပြီး PPAP စွမ်းရည်
• ဤစက်ပစ္စည်းများသည် Pb-Free၊ Halogen Free/BFR Free ဖြစ်ပြီး RoHS နှင့် ကိုက်ညီသည်*
