MBT3904DW1T1G Bipolar ထရန်စစ္စတာ – BJT 200mA 60V Dual NPN
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | onsemi |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | SC-70-6 |
| Transistor Polarity- | NPN |
| ဖွဲ့စည်းမှု- | နှစ်ထပ် |
| စုဆောင်းသူ- Emitter Voltage VCEO Max- | 40 V |
| စုဆောင်းသူ- အခြေခံဗို့အား VCBO- | 60 V |
| Emitter- အခြေခံဗို့အား VEBO- | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage- | 300 mV |
| အများဆုံး DC စုဆောင်းသူ လက်ရှိ- | 200 mA |
| Pd - Power Dissipation- | 150 mW |
| Bandwidth ထုတ်ကုန် fT ရရှိရန်- | 300 MHz |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 55 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 150 C |
| စီးရီး- | MBT3904DW1 |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | onsemi |
| စဉ်ဆက်မပြတ် စုဆောင်းသူ လက်ရှိ- | - 2 A |
| DC စုဆောင်းသူ/အခြေခံ အမြတ် hfe Min- | 40 |
| အမြင့်- | 0.9 မီလီမီတာ |
| အရှည်- | 2 မီလီမီတာ |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- | BJTs - Bipolar ထရန်စစ္စတာများ |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၃၀၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | စစ္စတာများ |
| နည်းပညာ- | Si |
| အကျယ်- | 1.25 မီလီမီတာ |
| အပိုင်း # နာမည်များ- | MBT3904DW1T3G |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.000988 အောင်စ |
• hFE၊ 100−300 • Low VCE(sat), ≤ 0.4 V
• Circuit Design ကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• Board Space ကို လျှော့ချပေးသည်။
• အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို လျှော့ချသည်။
• 8 mm၊ 7-inch/3,000 Unit Tape နှင့် Reel တို့ဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။
• သီးသန့်ဆိုက်နှင့် ထိန်းချုပ်မှုပြောင်းလဲခြင်းဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များ လိုအပ်သော မော်တော်ကားနှင့် အခြားအပလီကေးရှင်းများအတွက် S နှင့် NSV ၏ရှေ့ဆက်။ AEC-Q101 အရည်အချင်းပြည့်မီပြီး PPAP စွမ်းရည်
• ဤစက်ပစ္စည်းများသည် Pb-Free၊ Halogen Free/BFR Free ဖြစ်ပြီး RoHS နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
