IPD90N06S4-04 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
ထုတ်လုပ်သူ- | အင်ဖီယွန် |
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | MOSFET |
RoHS- | အသေးစိတ် |
နည်းပညာ- | Si |
တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
အထုပ်/အစွပ် | TO-252-3 |
Transistor Polarity- | N-Channel |
ချန်နယ်အရေအတွက်- | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- | 60 V |
ID - Continuous Drain Current- | 90 A |
Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance- | 3.8 mOhms |
ကုန်အမှတ်တံဆိပ်- | OptiMOS |
ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
အမှတ်တံဆိပ်- | Infineon နည်းပညာများ |
ဖွဲ့စည်းမှု- | လူပျို |
အမြင့်- | 2.3 မီလီမီတာ |
အရှည်- | 6.5 မီလီမီတာ |
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | MOSFET |
စီးရီး: | OptiMOS-T2 |
စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၂၅၀၀ |
အမျိုးအစားခွဲ- | MOSFETs |
Transistor အမျိုးအစား- | 1 N-ချန်နယ် |
အကျယ်- | 6.22 မီလီမီတာ |
အပိုင်း # နာမည်များ- | SP000374323 IPD9N6S44XT IPD90N06S404ATMA1 |
ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.011640 အောင်စ |
• N-channel – မြှင့်တင်မုဒ်
• AEC အရည်အချင်းပြည့်မီသူ
• MSL1 သည် 260°C အထွတ်အထိပ်ပြန်ထွက်မှုအထိ
• 175°C လည်ပတ်အပူချိန်
• အစိမ်းရောင်ထုတ်ကုန် (RoHS လိုက်နာမှု)
• 100% Avalanche စမ်းသပ်ပြီး