ISO7021DR ဒစ်ဂျစ်တယ်အထီးကျန်ကိရိယာများ အလွန်နိမ့်သောပါဝါ ATEX/IECEEx အသိအမှတ်ပြု ချန်နယ်ဒစ်ဂျစ်တယ်အထီးကျန်ကိရိယာ 8-SOIC
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | တက္ကတူရိယာ |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- | ဒစ်ဂျစ်တယ်အထီးကျန်များ |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | SOIC-8 |
| ချန်နယ်အရေအတွက်- | 2 Channel |
| ကွဲပြားမှု- | တစ်ပြေးညီ |
| ဒေတာနှုန်း- | 4 Mb/s |
| သီးခြားဗို့အား- | 3000 Vrms |
| သီးခြားအမျိုးအစား- | Capacitive Coupling |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - Max- | 5.5 V |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - အနည်းဆုံး | 1.71 V |
| လည်ပတ်ထောက်ပံ့မှု လက်ရှိ- | 129 uA |
| မျိုးပွားမှုနှောင့်နှေးချိန်- | 140 ns |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 55 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 125 C |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | တက္ကတူရိယာ |
| ထပ်ဆင့်ချန်နယ်များ- | 1 Channel |
| အများဆုံး ကြွေကျချိန်- | 5 ns |
| အများဆုံးတက်ချိန်- | 5 ns |
| Moisture Sensitive- | ဟုတ်ကဲ့ |
| Pd - Power Dissipation- | 8.4 mW |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- | ဒစ်ဂျစ်တယ်အထီးကျန်များ |
| Pulse Width Distortion- | 10 ns |
| ပြောင်းပြန်ချန်နယ်များ- | 1 Channel |
| အပြီးပိတ်လိုက်သည်: | Shutdown မရှိပါ။ |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၂၅၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | အင်တာဖေ့စ် IC များ |
| အမျိုးအစား- | အလွန်နည်းသော ပါဝါ |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.006166 အောင်စ |
♠ ISO7021 Ultra-Low Power Two-Channel Digital Isolator
ISO7021 စက်ပစ္စည်းသည် CMOS သို့မဟုတ် LVCMOS ဒစ်ဂျစ်တယ် I/O များကို ခွဲထုတ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည့် အလွန်နိမ့်သော ပါဝါ၊ လိုင်းပေါင်းစုံ ဒစ်ဂျစ်တယ် အထီးကျန်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ အထီးကျန်ချန်နယ်တစ်ခုစီတွင် နှစ်ထပ် capacitive ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO2) လျှပ်ကာအတားအဆီးဖြင့် ပိုင်းခြားထားသော logic input နှင့် output ကြားခံတစ်ခုရှိသည်။ ဆန်းသစ်သောအနားသတ်အခြေခံဗိသုကာသည် UL1577 တွင် 3000-VRMS အထီးကျန်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုတွေ့ဆုံစဉ်တွင် ဤအထီးကျန်ပစ္စည်းများကို အလွန်နည်းသောပါဝါစားသုံးနိုင်စေပါသည်။ စက်၏ ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် ရွေ့လျားနိုင်သော လက်ရှိသုံးစွဲမှုသည် 120 μA/Mbps အောက်တွင်ရှိပြီး ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် တည်ငြိမ်သောလက်ရှိသုံးစွဲမှုသည် 4.8 μA မှာ 3.3 V တွင်ဖြစ်ပြီး ISO7021 အား ပါဝါနှင့် အပူကန့်သတ်ထားသော စနစ်ဒီဇိုင်းနှစ်မျိုးလုံးတွင် အသုံးပြုရန် ခွင့်ပြုသည်။
စက်ပစ္စည်းသည် 1.71 V နိမ့်ကာ 5.5 V အထိ လည်ပတ်နိုင်ပြီး isolation barrier တစ်ဖက်စီရှိ မတူညီသော ထောက်ပံ့ရေးဗို့အားများဖြင့် အပြည့်အဝ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ twochannel isolator သည် 8-SOIC ပက်ကေ့ခ်ျတစ်ခုတွင် ရှေ့သို့တစ်ခုနှင့် ပြောင်းပြန်လမ်းကြောင်းတစ်ခုပါရှိသော ကျဉ်းမြောင်းသောကိုယ်ထည် 8-SOIC ပက်ကေ့ဂျ်ဖြင့်လာသည်။ စက်တွင် ပုံသေထွက်ရှိမှု မြင့်မားခြင်းနှင့် အနိမ့်ရွေးချယ်စရာများရှိသည်။ အဝင်ပါဝါ သို့မဟုတ် အချက်ပြမှု ပျောက်ဆုံးပါက၊ နောက်ဆက်တွဲ F မပါသော ISO7021 စက်အတွက် ပုံသေထွက်ရှိမှုသည် မြင့်မားပြီး F ၏နောက်ဆက်တွဲဖြစ်သော ISO7021F စက်ပစ္စည်းအတွက် နိမ့်သည်။ နောက်ထပ်အချက်အလက်များအတွက် Device Functional Modes ကဏ္ဍကို ကြည့်ပါ။
• အလွန်နည်းသော ပါဝါသုံးစွဲမှု
- ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် 4.8 μA ငြိမ်သက်နေသော လက်ရှိ (3.3 V)
- 100 kbps (3.3 V) တွင် ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် 15 μA
- 1 Mbps (3.3 V) ဖြင့် ချန်နယ်တစ်ခုလျှင် 120 μA
• ခိုင်မာသော အထီးကျန်အတားအဆီး
- > နှစ် 100 မျှော်မှန်းသက်တမ်း
- 3000 VRMS အထီးကျန်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်
- ±100 kV/μs ပုံမှန် CMTI
• ကျယ်ပြန့်သောထောက်ပံ့ရေးအကွာအဝေး- 1.71 V မှ 1.89 V နှင့် 2.25 V မှ 5.5 V
• ကျယ်ပြန့်သောအပူချိန်အကွာအဝေး- -55°C မှ +125°C
• အသေးစား 8-SOIC ပက်ကေ့ဂျ် (8-D)
• အချက်ပြမှုနှုန်း- 4 Mbps အထိ
• ပုံသေထွက်ရှိမှု မြင့်မားသော (ISO7021) နှင့် အနိမ့် (ISO7021F) ရွေးချယ်စရာများ
• ခိုင်မာသော လျှပ်စစ်သံလိုက်လိုက်ဖက်မှု (EMC)
- စနစ်အဆင့် ESD၊ EFT နှင့် surge immunity
- ±8 kV IEC 61000-4-2 အထီးကျန်အတားအဆီးကိုဖြတ်၍ အဆက်အသွယ်ထွက်ခြင်းကာကွယ်မှု
- ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု အလွန်နည်းသည်။
• ဘေးကင်းရေးဆိုင်ရာ အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်များ (စီစဉ်ထားသည်--
– DIN V VDE 0884-11:2017-01
- UL 1577 အစိတ်အပိုင်း အသိအမှတ်ပြုမှု ပရိုဂရမ်
- IEC 60950-1၊ IEC 62368-1၊ IEC 61010-1၊ IEC60601-1 နှင့် GB 4943.1-2011 အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်များ
- IECEx (IEC 60079-0 & IEC 60079-11) နှင့် ATEX (EN IEC60079-0 & EN 60079-11)
• 4-mA မှ 20-mA စက်ဝိုင်းပါဝါရှိသော အကွက်ထုတ်လွှတ်စက်များ
• စက်ရုံအလိုအလျောက်စနစ်နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အလိုအလျောက်စနစ်
