FDD4N60NZ MOSFET 2.5A ထုတ်ပေးသည့် လက်ရှိ GateDrive Optocopler

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ထုတ်လုပ်သူ- Semiconductor ကိုဖွင့်ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- ထရန်စစ္စတာများ – FETs ၊ MOSFET – Single

အချက်အလက်စာရွက်:FDD4N60NZ

ဖော်ပြချက်- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

RoHS အခြေအနေ- RoHS လိုက်နာမှု

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်

ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည်	ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး
ထုတ်လုပ်သူ-	onsemi
ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား:	MOSFET
RoHS-	အသေးစိတ်
နည်းပညာ-	Si
တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ-	SMD/SMT
အထုပ်/အစွပ်	DPAK-3
Transistor Polarity-	N-Channel
ချန်နယ်အရေအတွက်-	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-	600 V
ID - Continuous Drain Current-	1.7 A
Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance-	1.9 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage-	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-	5 V
Qg - ဂိတ်ကြေး-	8.3 nC
အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန်	- 55 C
အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန်	+ 150 C
Pd - Power Dissipation-	114 W
ချန်နယ်မုဒ်-	မြှင့်တင်ပေးခြင်း
ကုန်အမှတ်တံဆိပ်-	UniFET
ထုပ်ပိုးမှု-	ရစ်လုံး
ထုပ်ပိုးမှု-	တိပ်ညှပ်
ထုပ်ပိုးမှု-	MouseReel
အမှတ်တံဆိပ်-	onsemi / Fairchild
ဖွဲ့စည်းမှု-	လူပျို
ဆောင်းရာသီ	12.8 ns
ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း - အနည်းဆုံး-	3.4 S
အမြင့်-	2.39 မီလီမီတာ
အရှည်-	6.73 မီလီမီတာ
ထုတ်ကုန်-	MOSFET
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား:	MOSFET
တက်ချိန်-	15.1 ns
စီးရီး:	FDD4N60NZ
စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်-	၂၅၀၀
အမျိုးအစားခွဲ-	MOSFETs
Transistor အမျိုးအစား-	1 N-ချန်နယ်
ပုံမှန်အပိတ်နှောင့်နှေးချိန်-	30.2 ns
ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန်-	12.7 ns
အကျယ်-	6.22 မီလီမီတာ
ယူနစ်အလေးချိန်-	0.011640 အောင်စ