DG441DY-T1-E3 အင်နာလော့ပြောင်း အိုင်စီ QUAD SPST သင်္ကေတ SWITC
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | Vishay |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား: | Analogue Switch IC များ |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| Package/Case- | SOIC-16 |
| ချန်နယ်အရေအတွက်- | 4 Channel |
| ဖွဲ့စည်းမှု- | 4 x SPST |
| ခုခံမှုအပေါ် - Max- | 85 Ohms |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - အနည်းဆုံး | 13 V |
| ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား - Max- | 36 V |
| အနိမ့်ဆုံး Dual Supply Voltage- | +/- 15 V |
| အမြင့်ဆုံး Dual Supply Voltage: | +/- 15 V |
| အချိန်မှန် - အများဆုံး- | 250 ns |
| အလုပ်ချိန် - အများဆုံး- | 120 ns |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 40 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 85 C |
| စီးရီး: | DG |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | Vishay / Siliconix |
| အမြင့်- | 1.55 မီလီမီတာ |
| အရှည်- | 10 မီလီမီတာ |
| Pd - Power Dissipation- | 900 mW |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား: | Analog Switch IC များ |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၂၅၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | IC ကိုပြောင်းပါ။ |
| ထောက်ပံ့ရေးလက်ရှိ - အများဆုံး- | 100 uA |
| ထောက်ပံ့မှုအမျိုးအစား- | Single Supply၊ Dual Supply |
| အဆက်မပြတ် လက်ရှိကို ပြောင်းပါ- | 30 mA |
| အကျယ်- | 4 မီလီမီတာ |
| အပိုင်း # နာမည်များ- | DG441DY-E3 |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 666 မီလီဂရမ် |
♠ Quad SPST CMOS အင်နာလော့ခလုတ်များ
DG441၊ DG442 monolithic quad analog switches များသည် analog နှင့် audio signals များ၏ မြန်နှုန်းမြင့်၊ အမှားအယွင်းနည်းသော ကူးပြောင်းခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။DG441 တွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်သည့်လုပ်ဆောင်ချက် ရှိသည်။DG442 တွင် ပုံမှန်အတိုင်း ဖွင့်နိုင်သော လုပ်ဆောင်ချက် ရှိသည်။ခုခံမှုနည်းသော (50 Ω၊ typ.) နှင့် မြင့်မားသောအမြန်နှုန်း (tON 150 ns, typ.), DG441, DG442 တို့သည် DG201A/202 socket များကို အဆင့်မြှင့်တင်ရန်အတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။sample-and-hold circuits များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အားသွင်းဆေးအား မြောင်းပေါ်တွင် လျှော့ချထားသည်။
မြင့်မားသောဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် သာလွန်သောပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိရန်၊ DG441၊ DG442 ကို Vishay Siliconix ၏ဗို့အားမြင့်ဆီလီကွန်ဂိတ်လုပ်ငန်းစဉ်ပေါ်တွင်တည်ဆောက်ထားသည်။ epitaxial အလွှာသည် latchup ကိုတားဆီးသည်။
ခလုတ်တစ်ခုစီသည် ဖွင့်သည့်အခါ လမ်းကြောင်းနှစ်ခုစလုံးတွင် အညီအမျှ ကောင်းစွာလုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ပိတ်သည့်အခါတွင် ထောက်ပံ့မှုအဆင့်များသို့ အဝင်ဗို့အားများကို ပိတ်ဆို့သည်။
• IEC 61249-2-21 အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်အရ ဟာလိုဂျင်ကင်းစင်သည်။
• ခုခံမှုနည်းသော- 50 Ω
• Low leakage: 80 pA
• ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသော 0.2 mW
• အမြန်ပြောင်းခြင်းလုပ်ဆောင်ချက် – tON: 150 ns
• အားသွင်းနည်း- Q- 1 pC
• DG201A/DG202 အဆင့်မြှင့်တင်မှုများ
• TTL/CMOS-သဟဇာတ ယုတ္တိဗေဒ
• တစ်ခုတည်းသော ထောက်ပံ့မှုစွမ်းရည်
• RoHS ညွှန်ကြားချက် 2002/95/EC နှင့် ကိုက်ညီသည်။
• အသံပြောင်းခြင်း။
• ဘက်ထရီပါဝါစနစ်များ
• ဒေတာရယူခြင်း။
• Hi-Rel စနစ်များ
• နမူနာ-ကိုင်ထားသော ဆားကစ်များ
• ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ
• အလိုအလျောက်စမ်းသပ်ကိရိယာ
• ဆေးဘက်ဆိုင်ရာတူရိယာ
