BUK9K35-60E၊115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ ကုန်ပစ္စည်းဖော်ပြချက်
| ထုတ်ကုန်ဂုဏ်ရည် | ရည်ညွှန်းတန်ဖိုး |
| ထုတ်လုပ်သူ- | Nexperia |
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- | MOSFET |
| RoHS- | အသေးစိတ် |
| နည်းပညာ- | Si |
| တပ်ဆင်ခြင်းပုံစံ- | SMD/SMT |
| အထုပ်/အစွပ် | LFPAK-56D-8 |
| Transistor Polarity- | N-Channel |
| ချန်နယ်အရေအတွက်- | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- | 60 V |
| ID - Continuous Drain Current- | 22 A |
| Rds ဖွင့်ထားသည် - Drain-Source Resistance- | 32 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage- | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage- | 1.4 V |
| Qg - ဂိတ်ကြေး- | 7.8 nC |
| အနိမ့်ဆုံး လည်ပတ်မှု အပူချိန် | - 55 C |
| အများဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန် | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation- | 38 W |
| ချန်နယ်မုဒ်- | မြှင့်တင်ပေးခြင်း |
| အရည်အချင်း- | AEC-Q101 |
| ထုပ်ပိုးမှု- | ရစ်လုံး |
| ထုပ်ပိုးမှု- | တိပ်ညှပ် |
| ထုပ်ပိုးမှု- | MouseReel |
| အမှတ်တံဆိပ်- | Nexperia |
| ဖွဲ့စည်းမှု- | နှစ်ထပ် |
| ဆောင်းရာသီ | 10.6 ns |
| ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- | MOSFET |
| တက်ချိန်- | 11.3 ns |
| စက်ရုံထုပ်ပိုး အရေအတွက်- | ၁၅၀၀ |
| အမျိုးအစားခွဲ- | MOSFETs |
| Transistor အမျိုးအစား- | 2 N-Channel |
| ပုံမှန်အပိတ်နှောင့်နှေးချိန်- | 14.9 ns |
| ပုံမှန်ဖွင့်ရန် နှောင့်နှေးချိန်- | 7.1 ns |
| အပိုင်း # နာမည်များ- | ၉၃၄၀၆၆၉၇၇၁၁၅ |
| ယူနစ်အလေးချိန်- | 0.003958 အောင်စ |
♠ BUK9K35-60E Dual N-channel 60 V၊ 35 mΩ ယုတ္တိဗေဒအဆင့် MOSFET
TrenchMOS နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည့် LFPAK56D (Dual Power-SO8) ပက်ကေ့ချ်တွင် N-channel MOSFET ၏ Dual logic အဆင့်။ ဤထုတ်ကုန်သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော မော်တော်ယာဥ်အသုံးပြုမှုများအတွက် အသုံးပြုရန်အတွက် AEC Q101 စံနှုန်းအတိုင်း ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး အရည်အသွေးပြည့်မီပါသည်။
• Dual MOSFET
• Q101 နှင့်ကိုက်ညီသည်။
• ထပ်တလဲလဲနှင်းပြိုမှုအဆင့်သတ်မှတ်သည်။
• 175°C အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကြောင့် အပူလိုအပ်သောပတ်ဝန်းကျင်အတွက် သင့်လျော်သည်။
• 175°C တွင် 0.5 V ထက်ကြီးသော VGS(th) အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ဖြင့် True logic အဆင့်ဂိတ်
• 12 V Automotive စနစ်များ
• မော်တာများ၊ မီးချောင်းများနှင့် ဆိုလီနွိုက်ထိန်းချုပ်မှု
• ဂီယာထိန်းချုပ်မှု
• အလွန်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ပါဝါပြောင်းခြင်း။
